Вольтамперная характеристика коллектора транзистора

Подключение транзистора с общей базой или эмиттером >

Автор: Александр Соловьев (все работы автора)

Дата: 2012-05-05

Вольтамперная характеристика коллектора транзистора может быть получена с помощью измерительной установки, схема которой приведена ниже. Необходимые значения тока эмиттера устанавливаются с помощью реостата Rэ, напряжение коллектора регулируется низкоомным потенциометром Rк. Измерение токов производится с помощью миллиамперметров, а напряжение коллектора контролируется вольтметром Uк. Для снятия характеристик необходимы контрольно-измерительные приборы. Здесь вы можете приобрести необходимое кипиа оборудование и инструменты.

увеличить

Рис 1. Схема установки для снятия характеристик транзисторов

Определить приращение тока базы iб можно при известных величинах тока эммитера iэ и коэффициента а. Действительно, если Iэ = Iк + Iб, т.е. приращение эмиттерного тока равно сумме приращений коллекторного и базового токов. С другой стороны, а – iк / iэ, отсюда следует iэ = iк / а.

В свою очередь , ток базы iб = iэ – iк. Теперь, если выразим ток iк через iэ, как iк = а * iэ, получим: iб = iэ – а*iэ = iэ(1 – а).

Откуда следует: iэ = 1 / (1 – а) * iб. Величина коэффициента а близка к единице. Учитывая это, из последнего выражения можно сделать следующий вывод – при изменении тока эммитера в 1 / (1 – а) раз больше, чем связанное с ним изменение тока базы.

Таким образом, при изменении величины тока базы можно управлять током эммитера и , следовательно, током коллектора. Схема включения транзистора влияет на усиление транзистора по току.

Просмотров: 1228. Вы можете ПОДПИСАТЬСЯ НА RSS

< Рекомендуемый ток эмиттера

Подключение транзистора с общей базой или эмиттером >

Еще полезно почитать по теме Электротехника следующее:

1. Разница консонанса и диссонанса
2. Сопротивление нагрузки
3. Еще два слова о мощности
4. Усиление по току
5. Рупорные круговые громкоговорители