< Вольтамперные характеристики транзисторов Ч-2 |
Зависимость величины тока |
Усиление по току > |
Автор: Александр Соловьев (все работы автора) Дата: 2012-05-05 |
Сильная зависимость величины тока коллектора от величины тока эмиттера объясняется самопроизвольным проникновением в коллекторный переход за счет явления диффузии носителей электрических зарядов, вводимых из эмиттера в базовую область. Явление диффузии характеризуется тем, что диффундирующие частицы (в данном случае это носители электрического заряда) распространяются в том направлении, где концентрация их меньше. В базе транзистора образуется избыточная концентрация носителей по мере приближения к коллекторному переходу. В силу этого носители заряда диффундируют через базу в направлении от эмиттера к коллектору.

Необходимо иметь в виду, что все три названных тока транзистора взаимно связаны между собой. Изменение одного из них вызывает соответствующее изменение двух других токов, что было показано на примере в предыдущей статье. Именно эта взаимная зависимость токов позволяет использовать транзистор в качестве генератора или усилителя электрических колебаний.
Это интересно:
В интернет-магазине www.labelshop.ru вы можете заказать самоклеющиеся наклейки и этикетки, которые не оставляют следов при удалении. Цены зависят от качества и размеров этикеток.
![]() |
Просмотров: 638. Вы можете ПОДПИСАТЬСЯ НА RSS
< Вольтамперные характеристики транзисторов Ч-2 | Усиление по току > |
Еще полезно почитать по теме Электротехника следующее:
1. Переходы транзистора
2. Перераспределение тока коллектора
3. Обертоны и гармоники
4. Диффузоры динамика
5. Вольамперная характеристика