машиностроение основы машиностроения основы машиностроения

в помощь студенту -> Электротехника

< Сопротивление нагрузки

Коэффициент усиления транзистора при учете обратной связи

Преимущества соединения транзистора с общей базой >

Автор: Александр Соловьев (все работы автора)

Дата: 2012-05-07

Коэффициент усиления транзистора при учете обратной связи

Влияние внутренней обратной связи сказывается также на коэффициенте усиления транзистора по мощности Кр и напряжению Кu в различных схемах включения. Действительно, известно, что





формула увеличить

Где

формула увеличить

- эквивалентное сопротивление нагрузки транзистора.





Согласно этим формулам усиление по мощности и напряжению увеличивается по мере роста сопротивления нагрузки, но при этом наблюдается снижение коэффициента усиления по току. В связи с этим коэффициент усиления по мощности Кр достигает максимума (Кр макс) при некотором вполне определенном сопротивлении нагрузки rн. Иллюстрацией этого в общем случае является рисунок 1, на котором приведены усредненные зависимости Кр транзистора от сопротивления нагрузки rн для различных схем включения.

Усредненная зависимость коэффициента усиления по мощности от сопротивления нагрузки увеличить

Рис 1. Усредненная зависимость коэффициента усиления по мощности от сопротивления нагрузки





На рисунке 1 коэффициент Кр варажается в децибелах, т.е. как 10 lg Кр. На рисунке 2 приведена номограмма для перевода Кр в децибелы.

Шкала децибел увеличить

Рис 2. Шкала децибел

Как видно из рисунка 1, наибольшее усиление транзистора Кр макс обеспечивается в схеме с общим эмиттером (до 40 дБ), наименьшее - в схеме с общим коллектором (до 15 дб); в схеме с общей базой – некоторое среднее значение (30 дБ).

Полностью реализовать Кр макс практически очень трудно, так как для этого необходимо обеспечить равенство rн = rнс и rвх = ri. Это значит, что для схемы с общим эмиттером сопротивление нагрузки должно составлять несколько сотен килом, а для схемы с общей базой – несколько мегоОм, что не всегда возможно обеспечить. В большинстве случаев сопротивление rн выбирается в несколько раз меньше, чем это требуется для получения Кр макс. Схема с общим эмиттером имеет то преимущество, что позволяет получить Кр = 30 дб при сравнительно небольшой нагрузке, исчисляемой килоомами, тогда как схема с общей базой обеспечивает даже несколько меньшее усилие (Кр = 25 дб) при сопротивлении нагрузки в несколько десятков килоОм. Этим, в основном, и определяется то широкое распространение, которое получила схема с общим эмиттером по сравнению с другими схемами.

Это интересно:

Надежную защиту и шумо- теплоизоляцию обспечать качественные входные двери Торекс. Купить двери Торекс вы можете у официального дилера Торэкс в Саратове www.torex-door.ru.

основы машиностроения

Просмотров: 1675. Вы можете ПОДПИСАТЬСЯ НА RSS

< Сопротивление нагрузки Преимущества соединения транзистора с общей базой >

Еще полезно почитать по теме Электротехника следующее:

1. Диффузоры динамика
2. Построение тройного графика
3. Электромагнитные преобразователи
4. Сопротивление нагрузки
5. Три замечания о мощности громкоговорителя

Оцените информацию: 1 2 3 4 5

<

Комментарии:

Добавить комментарий (поля со звездочкой* обязательны для заполнения)



Введите слово "магистр"