машиностроение основы машиностроения основы машиностроения

в помощь студенту -> Электротехника

< Эквивалентная схема замещения и основные параметры транзисторов

Эквивалентная схема замещения и основные параметры транзисторов Ч-2

Внутренняя обратная связь с общей базой >

Автор: Александр Соловьев (все работы автора)

Дата: 2012-05-07

Эквивалентная схема замещения и основные параметры транзисторов Ч-2

Сопротивление коллекторного перехода rк является высокоомным и в зависимости от типа транзистора и установленного тока коллектора может иметь значение от нескольких десятков килоОм до нескольких мегОм.





Сопротивление базы rб в несколько раз больше сопротивления rэ и в среднем составляет десятки-сотни Ом. Его величина зависит от тока эмиттера и частоты усиливаемого сигнала. Емкость коллекторного перехода Ск может составлять от 2…4 до 50…200 пф, иногда и более. Ее величина зависит в основном от напряжения между коллектором и базой и частично от частоты сигнала.

Емкость эмиттерного перехода Сэ в несколько раз, 5…10, больше емкости коллекторного перехода Ск. Ее величина зависит от тока эмиттера и частоты. При работе на самых низких частотах влиянием емкостей Сэ и Ск в большинстве случаев можно пренебречь.





Из рассмотрения основных схем включения транзистора видно, что входной и выходной токи частично или полностью протекают по одному и тому же внутреннему сопротивлению общего электрода. Таким сопротивлением для схемы с общей базой является сопротивление базы rб; для схемы с общим эмиттером – сопротивление rэ и емкость Сэ; для схемы с общим коллектором – сопротивление rк и емкость Ск. Наличие общего сопротивления приводит к тому, что, кроме прямого воздействия входной цепи на выходную, будет существовать обратное воздействие выходной цепи на входную, называемое внутренней обратной связью.

Внутренняя обратная связь является серьезным недостатком транзисторов, который сказывается главным образом в том, что входное сопротивление транзистора rвх зависит от сопротивления нагрузки rн выходной цепи, а выходное сопротивление rвых, в свою очередь, зависит от внутреннего сопротивления ri источника входного сигнала. Это явление особенно неприятно в многокаскадных усилительных устройствах, когда изменение параметров или настройка одного каскада может вызвать расстройку предыдущих и последующих каскадов.





Школьникам на заметку:

На школьном портале www.ukrtvory.com.ua вы можете скачать гдз готовые домашние задания по алгебре, физике, химии для учеников 8...11 классов.

основы машиностроения

Просмотров: 1294. Вы можете ПОДПИСАТЬСЯ НА RSS

< Эквивалентная схема замещения и основные параметры транзисторов Внутренняя обратная связь с общей базой >

Еще полезно почитать по теме Электротехника следующее:

1. Интервал в октаву
2. Сила звука и звуковое давление
3. Нелинейные искажения - Ч2
4. Подключение транзистора с общей базой или эмиттером
5. Причины частотных искажений

Оцените информацию: 1 2 3 4 5

<

Комментарии:

Добавить комментарий (поля со звездочкой* обязательны для заполнения)



Введите слово "магистр"